士蘭微SiC MOSFET產品榮獲2025中國創新IC“創新突破獎”

2025年7月11日-12日，“第五屆中國集成電路設計創新大會”（ICDIA 創芯展）在蘇州成功召開。大會期間，由中國集成電路設計創新聯盟組織開展的“2025中國創新IC-強芯評選”頒獎典禮隆重舉行。士蘭微電子SiC MOSFET產品SCDP120R007NB2CPW4榮獲2025中國創新IC“創新突破獎”。

“強芯評選”旨在推動自主芯片創新應用，在全國范圍內評選技術領先、競爭力強、質量可靠的創新IC 產品，為系統整機、品牌終端、 用戶單位提供國產優質芯片應用選型，以此深度挖掘中國芯領先產品，共建自主產業生態。其作為一年一度的國產IC推優平臺，對我國自主集成電路產業創新具有重要意義。